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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
71
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
71
读取速度,GB/s
15.4
14.9
写入速度,GB/s
9.2
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1631
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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