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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
15.4
17.8
写入速度,GB/s
9.2
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3625
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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