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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
15.4
13.0
写入速度,GB/s
9.2
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2243
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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