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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
15.4
14.8
写入速度,GB/s
9.2
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2536
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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