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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.4
16.6
写入速度,GB/s
9.2
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2951
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
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