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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
15.4
17.8
写入速度,GB/s
9.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3337
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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