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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
15.4
15.0
写入速度,GB/s
9.2
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2946
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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