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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
15.4
19.1
写入速度,GB/s
9.2
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3666
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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