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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
15.4
14.5
写入速度,GB/s
9.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2429
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
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