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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
15.4
16.8
写入速度,GB/s
9.2
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2880
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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