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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.4
14.5
写入速度,GB/s
9.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2374
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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