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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
15.4
15.8
写入速度,GB/s
9.2
12.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2988
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-1600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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