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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
40
读取速度,GB/s
15.4
13.4
写入速度,GB/s
9.2
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2495
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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