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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
15.4
15.6
写入速度,GB/s
9.2
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2783
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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