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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
15.4
14.7
写入速度,GB/s
9.2
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2490
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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