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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
81
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
81
读取速度,GB/s
15.4
8.5
写入速度,GB/s
9.2
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1651
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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