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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
15.4
15.5
写入速度,GB/s
9.2
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2264
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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