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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

总分
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

总分
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5S38G1601U2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 62
    左右 40% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 62
  • 读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2581 left arrow 1808

AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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