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AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

总分
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AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

总分
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R748G2400S2S 8GB 需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 135
    左右 -265% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 8.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    135 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1359 left arrow 2422

AMD R748G2400S2S 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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内存RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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