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AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
AMD R948G3206U2S 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
AMD R948G3206U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R948G3206U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
18.5
14.9
写入速度,GB/s
12.9
10.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3320
2613
AMD R948G3206U2S 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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