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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
比较
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
总分
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
13.4
15.3
写入速度,GB/s
8.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2050
2346
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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