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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.8
17.0
写入速度,GB/s
9.2
11.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2699
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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