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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
16.5
写入速度,GB/s
9.2
12.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2809
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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