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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
9.2
13.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3299
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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