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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
21.9
写入速度,GB/s
9.2
19.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
4044
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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