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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

总分
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

总分
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

差异 规格 评论

差异

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 47
    左右 -96% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 9.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2323 left arrow 3257

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM的比较

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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
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Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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内存RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
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内存RAM
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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