RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
11.8
8.6
写入速度,GB/s
9.2
8.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2079
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link