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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
11.8
17.5
写入速度,GB/s
9.2
14.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3575
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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