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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
17.2
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2989
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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