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ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
比较
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
总分
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
65
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,429.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
47
读取速度,GB/s
2,341.9
11.5
写入速度,GB/s
1,429.0
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2793
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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