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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
11.1
18.4
写入速度,GB/s
6.5
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
3583
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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