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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
11.1
17.8
写入速度,GB/s
6.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
3568
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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