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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
11.1
13.1
写入速度,GB/s
6.5
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
2204
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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