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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
比较
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
总分
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
4.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
6.8
17.5
写入速度,GB/s
4.9
12.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1293
3087
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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