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Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
比较
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
15.6
16.8
写入速度,GB/s
11.0
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2599
3019
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB RAM的比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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