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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
4,967.4
12.1
写入速度,GB/s
1,973.5
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2478
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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