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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
4,967.4
17.8
写入速度,GB/s
1,973.5
15.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3628
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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