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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
4,967.4
14.9
写入速度,GB/s
1,973.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2466
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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