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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
54
左右 -54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
35
读取速度,GB/s
4,967.4
15.4
写入速度,GB/s
1,973.5
12.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3038
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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