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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
4,967.4
13.8
写入速度,GB/s
1,973.5
9.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2456
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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