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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
4,967.4
14.1
写入速度,GB/s
1,973.5
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2215
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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