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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
4,967.4
16.3
写入速度,GB/s
1,973.5
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2614
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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