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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
4,967.4
16.5
写入速度,GB/s
1,973.5
13.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3040
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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