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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
4,967.4
15.9
写入速度,GB/s
1,973.5
9.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2611
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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