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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
4,967.4
16.2
写入速度,GB/s
1,973.5
12.5
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3360
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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