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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
4,967.4
13.2
写入速度,GB/s
1,973.5
9.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
1989
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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