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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
41
读取速度,GB/s
4,295.1
13.5
写入速度,GB/s
2,034.7
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3114
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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