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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
166
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,034.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
166
读取速度,GB/s
4,295.1
14.7
写入速度,GB/s
2,034.7
8.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
1107
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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