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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
4,295.1
18.2
写入速度,GB/s
2,034.7
16.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3748
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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