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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
4,295.1
22.6
写入速度,GB/s
2,034.7
16.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3837
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MID 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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